可控制半导体器件5SHX08F4502可控硅厦门雄霸-魏本旺

IGCT可控硅是一种新型的低损耗、高功率密度的可控制半导体器件。目前, IGCT器件被广泛应用于信息通信、电力电子、汽车电子等领域。与传统可控硅不同的是, IGCT器件在实现电压调节时没有使用晶体管和集成电路，而是利用硅片形成的压电型电阻控制器件的电流输出。其输出电压变化范围为-0.5 V~1 A,而普通可控硅只能在0.03~0.1 A之间波动。在高频下，可控制性高达100%(与晶体管相比),可减少80%功耗；且 IGTCT产品易于设计，可应用于高压环境。

一、产品介绍
IGCT器件是一种可以用在高压领域的器件，其特点是在相同电流下, IGCT能以高于正常阈值电流约20%的微弱电流来驱动。在 IGCT器件的驱动下，可改变硅材料的导电特性，从而改变晶体管特性，从而改变输出电压。目前, IGCT已经被广泛用于计算机、半导体设备、消费电子、新能源发电、航空航天等领域。IGCT与普通晶体管相比，器件损耗为±0.5μ A,功耗仅为0.1 W;而普通晶体管在高频下其性能仅为额定值一半左右，约为0.02 W-0.03 W;且它是一种可更换结构，具有较高应用潜力。同时，与普通晶体管相比, IGCT器件还具有低噪声、高功率密度、高温稳定等特点。
二、产品特点
采用压电式硅基技术，能提高输出电压，从而提高了开关频率。具有高开关损耗、低饱和电阻、低电平损耗、高阻抗特性以及高压绝缘特性等优点。而普通 IGCT则是使用压电式的硅基技术，其损耗约为0.03~0.1 A。另外, IGCT有多种输入电压调节方式，即高压开关模式(TVS)、低压开关模式(TLT)和低压开关模式(FSW)。

PM851AK01控制器单元	PM851AK01	3BSE066485R1
PM856AK01控制器单元	PM856AK01	3BSE066490R1
PM858K01控制器单元	PM858K01	3BSE082895R1
PM858K02控制器单元	PM858K02	3BSE082896R1
PM860AK01控制器单元	PM860AK01	3BSE066495R1
PM862K01控制器单元	PM862K01	3BSE076940R1
PM862K02控制器单元	PM862K02	3BSE081636R1
PM866AK01控制器单元	PM866AK01	3BSE076939R1
PM866AK02冗余控制器单元	PM866AK02	3BSE081637R1
PM891K01控制器单元	PM891K01	3BSE053241R1
PM891K02 冗余控制器单元	PM891K02	3BSE053242R1
SB822可充电电池(外置)	SB822	3BSE018172R1
PM857K01控制器单元	PM857K01	3BSE088385R1
PM857K02 冗余控制器单元	PM857K02	3BSE088386R1
PM863K01控制器单元	PM863K01	3BSE088381R1
PM863K02 冗余控制器单元	PM863K02	3BSE088382R1
PM867K01控制器单元	PM867K01	3BSE076355R1
PM867K02冗余控制器单元	PM867K02	3BSE081638R1
安全CPU模块	SM811K01	3BSE018173R1
安全CPU模块.配合PM867使用	SM812K01	3BSE072270R1

用于TP830的串口辅助设备
编程电缆	TK212A	3BSC630197R1
短距离传输调制解调器	TC562	3BSC630049R1
调制解调器用电缆	TK853V020	TK853V020

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5SHX08F4502可控制半导体器件IGCT 3BHB003387R0101

型号： 5SHX08F4502

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